ММРФ1314HR5

MMRF1314HR5 - это транзистор высокочастотного питания, изготовленный компанией NXP, специально разработанный для высокопроизводительных RF-приложений.

Основные параметры

• Тип продукции: МОСФЕТ-транзисторы (транзисторы радиочастотного металлического оксида полупроводникового поля)
• Производитель: NXP
• Полярность: N-канал
• Пакет: SOT1787
• Технологии: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) - полупроводники из оксида металла с боковой диффузией

Электрические параметры

• Частота работы: от 1200 до 1400 МГц
• Выходная мощность: 1000 Вт (пик)
• Типичная прибыль (dB): 15,5 дБ @ 1200 МГц (специфическая прибавка может варьироваться в зависимости от частоты)
• Напряжение отключения источника отвода (Vds): не указано прямо, но транзисторы LDMOS обычно имеют высокое разрывное напряжение
• Постоянный отводный ток (Id): не указано напрямую, но определено требованиями к применению и конструкции
• Напряжение порта-источника (Vgs): -6 V до +10 V (диапазон для регулирования напряжения шлюза)
• Рассеивание энергии (Pd): не указано напрямую, но требует хорошей конструкции рассеивания тепла для высокомощных применений

Операционная температура

• Максимальная рабочая температура: +150°C
• Минимальная рабочая температура: -40°C

Характеристики применения

• Операция по широкополосной связи: Внутреннее сопоставление ввода и вывода для удобной работы и использования широкополосной связи
• Гибкость конфигурации: может использоваться в одноконечной, толкательной или квадратной конфигурации
• Высокая прочность: Подходит для импульсных приложений, особенно отлично подходит для высокомощных военных и коммерческих радарных приложений в полосе L

Дополнительная информация

• Пакет/пакет: упаковка SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology), подходящая для технологии установки на поверхности
• Количество упаковки: обычно упакованы в определенном количестве (например, 50 штук) на единицу