Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияIC памяти

71В3577С80БКИ

Все продукты

ИС микроконтроллера

(217)

Соединители FFC FPC

(3667)

Буфер перед часовой стрелкой

(2459)

Аудио специальная цель

(1050)

Сбор информации ICs

(1000)

Врезанные ICs

(1000)

Интерфейсные интерфейсы

(1000)

Линейный IC

(950)

Логика IC

(894)

IC памяти

(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ

(939)

RF и радиотелеграф

(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры

(1000)

Мультипликаторы частот

(934)

Защита сети IC

(992)

Дискретный полупроводник

(911)

Конденсаторы полимера

(700)

ультразвуковые датчики

(1000)

Интегральные схемаы IC

(1000)

Защита цепей

(692)

Оптоэлектроника

(1000)

Коаксиальные соединители

(400)

Дискретные продукты полупроводника

(853)

Керамические фильтры Murata

(757)

Индукторы, катушки, удушки

(950)

Миль спецификации соединителей

(890)

Интегральные микросхемы

(27)
Оставьте нам сообщение

71В3577С80БКИ

71В3577С80БКИ
71В3577С80БКИ

Большие изображения :  71В3577С80БКИ

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:
Описание: IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
контакт

71В3577С80БКИ

описание
Категория: Интегрированные схемы (IC) Память Память Размер памяти: 4.5 Мбит
Статус продукта: Активный Тип установки: Поверхностный монтаж
Пакет: Насыщенные Серия: -
DigiKey программируемый: Не подтверждено Интерфейс памяти: Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница: - Пакет изделий поставщика: 165-CABGA (13х15)
Тип памяти: Летучие Мфр: IDT, Integrated Device Technology Inc.
Частота работы часов: 100 МГц Напряжение - питание: 3.135V ~ 3.465V
Время доступа: 8 нс Пакет / чемодан: 165-ТБГА
Организация памяти: 128K x 36 Операционная температура: -40 °C ~ 85 °C (TA)
технологии: SRAM - Одновременный, SDR Номер базовой продукции: 71В3577
Формат памяти: SRAM

SRAM - Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 100 МГц 8 нс 165-CABGA (13x15)

тег:

Микросхема памяти IC,

Микросхема памяти,

регулятор ic памяти

Контактная информация
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Контактное лицо: Miss. Coral

Телефон: +86 15211040646

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Большое хранилище CG7398AM Память IC настраивается с высокой масштабируемостью

Большое хранилище CG7398AM Память IC настраивается с высокой масштабируемостью

Категория: Интегрированные схемы (IC)

Статус продукта: Активный

Пакет: Насыщенные

Серия: -
CG7339AMT Чип памяти IC высокая надежность для автомобильных ЭКУ

CG7339AMT Чип памяти IC высокая надежность для автомобильных ЭКУ

Категория: Интегрированные схемы (IC)

Статус продукта: Активный

Пакет: Насыщенные

Серия: -
CG7269AM Эффективное использование пространства памяти ICS для промышленных систем управления

CG7269AM Эффективное использование пространства памяти ICS для промышленных систем управления

Категория: Интегрированные схемы (IC)

Статус продукта: Активный

Пакет: Насыщенные

Серия: -
Высокоскоростная операционная память IC CG7481AA для игр и видеообработки

Высокоскоростная операционная память IC CG7481AA для игр и видеообработки

Категория: Интегрированные схемы (IC)

Статус продукта: Активный

Пакет: Насыщенные

Серия: -
Комплексные интегральные схемы с компактной памятью через отверстие CY27C010-120WI

Комплексные интегральные схемы с компактной памятью через отверстие CY27C010-120WI

Категория: Интегрированные схемы (IC)

Статус продукта: Активный

Тип установки: Через дыру

Пакет: Насыщенные
около

ИС микроконтроллера

TJA1145T/FD MCU IC высокоточный микроконтроллерный чип для управления двигателем

FDC655BN Масштабируемость и гибкость интегральной схемы микроконтроллера

UJA1168ATK/F/0Z микроконтроллер Чип в режиме реального времени Возможности MCU IC

Соединители FFC FPC

10 Положение Боковые контакты Гибкие коннекторы печатных схем 006208514210000+

Нижний контакт FFC FPC соединители 046232106103800+ с 106 позицией

FH19C-20S-0.5SH ((05) Плоский гибкий разъем с отклонением 0,5 мм

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество ИС микроконтроллера поставщик. © 2024 - 2026 SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD. All Rights Reserved.