MBD4448HTW РЕГ

Name: MBD4448HTW РЕГ
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : MBD4448HTW РЕГ

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	Диодный массив переключения SOT-363

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы	Статус продукта:	Старый
Средний исправленный ток (Io) (на диод):	250 мА	Операционная температура - соединение:	-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):	1,25 В при 150 мА	Пакет:	Лента и катушка (TR)
Серия:	-	Конфигурация диодов:	3 независимых
Пакет изделий поставщика:	SOT-363	Время обратного восстановления (trr):	4 нс
Мфр:	Тайвань Полупроводник Корпорация	технологии:	Стандартный
Пакет / чемодан:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):	57 v
Тип установки:	Поверхностный монтаж	Скорость:	Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Ток - обратная утечка @ Vr:	100 nA @ 70 В