JANS1N6641

Name: JANS1N6641
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : JANS1N6641

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	Диод GEN PURP 100V 300MA DO35

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные	Статус продукта:	Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:	100 nA @ 50 В	Тип установки:	Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):	1.1 V @ 200 mA	Пакет:	Насыщенные
Серия:	Военные, MIL-PRF-19500/609	Пропускная способность @ Vr, F:	-
Пакет изделий поставщика:	DO-35 (DO-204AH)	Время обратного восстановления (trr):	5 нс
Мфр:	Технология микрочипов	технологии:	Стандартный
Операционная температура - соединение:	-65°C ~ 175°C	Пакет / чемодан:	DO-204AH, DO-35, осевой
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):	100 В	Текущее - среднее скорректированное (Io):	300 мА
Скорость:	Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)