JANS1N5417US

Name: JANS1N5417US
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : JANS1N5417US

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	Диод GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные	Статус продукта:	Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:	1 μA @ 150 В	Тип установки:	Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):	1.5 В @ 9 А	Пакет:	Насыщенные
Серия:	Военные, MIL-PRF-19500/411	Пропускная способность @ Vr, F:	-
Пакет изделий поставщика:	B, SQ-MELF	Время обратного восстановления (trr):	150 нс
Мфр:	Технология микрочипов	технологии:	Стандартный
Операционная температура - соединение:	-65°C ~ 175°C	Пакет / чемодан:	SQ-MELF, B
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):	200 В	Текущее - среднее скорректированное (Io):	3А
Скорость:	Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)