JANS1N5416US

Name: JANS1N5416US
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : JANS1N5416US

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	Диод GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные	Статус продукта:	Активный
Операционная температура - соединение:	-65°C ~ 175°C	Тип установки:	Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):	1.5 В @ 9 А	Пакет:	Насыщенные
Серия:	Военные, MIL-PRF-19500/411	Пропускная способность @ Vr, F:	-
Пакет изделий поставщика:	B, SQ-MELF	Время обратного восстановления (trr):	150 нс
Мфр:	Технология микрочипов	технологии:	Стандартный
Пакет / чемодан:	SQ-MELF, B	Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):	100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):	3А	Скорость:	Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)