JANTX1N1190R

Name: JANTX1N1190R
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : JANTX1N1190R

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	Диод GEN PURP 600V 35A DO5

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные	Статус продукта:	Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:	µA 10 @ 600 v	Тип установки:	Мост на копыте
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):	1.4 В @ 110 А	Пакет:	Насыщенные
Серия:	Военные, MIL-PRF-19500/297	Пропускная способность @ Vr, F:	-
Пакет изделий поставщика:	ДО-5	Мфр:	Технология микрочипов
технологии:	Стандартный	Операционная температура - соединение:	-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:	DO-203AB, DO-5, Студ	Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):	600 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):	35А	Скорость:	Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:	1N1190