2SA1977-T1B-A

Name: 2SA1977-T1B-A
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : 2SA1977-T1B-A

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	ПНП-транзистор

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные РЧ-транзисторы	Ток - коллектор (Ic) (макс.):	50 мА
Статус продукта:	Старый	Тип транзистора:	PNP
Тип установки:	Поверхностный монтаж	Частота - переходный период:	8,5 ГГц
Пакет:	Насыщенные	Серия:	-
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):	12 В	Пакет изделий поставщика:	SOT23-3 (TO-236)
Мфр:	Renesas Electronics America Inc.	Число шума (dB Typ @ f):	1.5 дБ @ 1 ГГц
Мощность - Макс:	200mw	Прибыль:	12 дБ
Пакет / чемодан:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Операционная температура:	150°C (TJ)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:	20 @ 20mA, 8В