|
Подробная информация о продукте:
Оплата и доставка Условия:
|
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET | Особенность FET: | - |
|---|---|---|---|
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA | Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-263-3, D2Pak (2 лиды + Таб), TO-263AB | Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs: | 8.3 nC @ 5 В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13.6mOhm @ 30A, 10В | Тип FET: | N-канал |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): | 4.5В, 10В | Пакет: | Лента и катушка (TR) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss): | 25 В | Vgs (макс.): | ± 20 В |
| Статус продукта: | Старый | Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: | 1043 pF @ 15 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж | Серия: | OptiMOS™ |
| Пакет изделий поставщика: | ПГ-ТО263-3-2 | Мфр: | Инфинеон Технологии |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: | 30A (Tc) | Диссипация силы (Макс): | 46 Вт (Tc) |
| технологии: | MOSFET (металлическая окись) | Номер базовой продукции: | IPB14N |
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2
Контактное лицо: Liu Guo Xiong
Телефон: +8618200982122
Факс: 86-755-8255222