IRFR3707Z

Name: IRFR3707Z
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Все продукты

ИС микроконтроллера
(217)

Соединители FFC FPC
(3667)

Буфер перед часовой стрелкой
(2459)

Аудио специальная цель
(1050)

Сбор информации ICs
(1000)

Врезанные ICs
(1000)

Интерфейсные интерфейсы
(1000)

Линейный IC
(950)

Логика IC
(894)

IC памяти
(984)

УПРАВЛЕНИЕ СИЛЫ
(939)

RF и радиотелеграф
(995)

Чрезвычайное значение датчиков температуры
(1000)

Мультипликаторы частот
(934)

Защита сети IC
(992)

Дискретный полупроводник
(911)

Конденсаторы полимера
(700)

ультразвуковые датчики
(1000)

Интегральные схемаы IC
(1000)

Защита цепей
(692)

Оптоэлектроника
(1000)

Коаксиальные соединители
(400)

Дискретные продукты полупроводника
(853)

Керамические фильтры Murata
(757)

Индукторы, катушки, удушки
(950)

Миль спецификации соединителей
(890)

Интегральные микросхемы
(27)

Оставьте нам сообщение

Большие изображения : IRFR3707Z

Подробная информация о продукте: Оплата и доставка Условия:

Описание:	MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

контакт

описание

Категория:	Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET	Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:	14 нКл при 4,5 В
Статус продукта:	Старый	Тип установки:	Поверхностный монтаж
Пакет:	Трубка	Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:	1150 pF @ 15 В
Серия:	HEXFET®	Vgs (макс.):	± 20 В
Vgs(th) (Max) @ Id:	2.25V @ 250µA	Пакет изделий поставщика:	D-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	9.5mOhm @ 15A, 10В	Мфр:	Инфинеон Технологии
Операционная температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)	Тип FET:	N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):	4.5В, 10В	Диссипация силы (Макс):	50W (Tc)
Пакет / чемодан:	TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63	Напряжение отхода к источнику (Vdss):	30 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:	56A (Tc)	технологии:	MOSFET (металлическая окись)
Особенность FET:	-