Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):430 А
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):200 А
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):285 a
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):75 a
Статус продукта:Активный
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):285 a
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):200 А
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):275 А
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.):1130 А
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT IGBT массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.):40 a
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы IGBT IGBT массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.):34 a
Статус продукта:Активный
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:240 nC @ 10 v
Статус продукта:Старый
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Статус продукта:Старый