Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 250μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:4В @ 44μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 60μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 100μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 1mA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 675μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 1mA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:120,4 nC @ 4,5 В
Статус продукта:Старый