Китай Дискретный полупроводник

• 

  СПУ09П06ПЛ

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 250μA

  Контакт
• 

  ИПП14Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  Контакт
• 

  СПП21Н10

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:4В @ 44μA

  Контакт
• 

  ИПП04Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 60μA

  Контакт
• 

  ИПП03Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 100μA

  Контакт
• 

  SPA21N50C3XKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 1mA

  Контакт
• 

  ИПП09Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  Контакт
• 

  SPP16N50C3HKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 675μA

  Контакт
• 

  SPA04N50C3XKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA

  Контакт
• 

  SPP04N60C3HKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA

  Контакт
• 

  SPP21N50C3HKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 1mA

  Контакт
• 

  БСЛ211СП

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:120,4 nC @ 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт