Китай Дискретный полупроводник

• 

  SPI07N60C3HKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 350μA

  Контакт
• 

  БСО301СПНТМА1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:136 nC @ 10 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  SPA04N60C3XKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA

  Контакт
• 

  BSP317PE6327

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 370μA

  Контакт
• 

  БСЛ207СП

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:20 nC @ 4,5 v

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  БСС670С2Л

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:2.26 nC @ 10 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  БСО203СПНТМА1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:500,4 nC @ 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  ИПБ05Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 50μA

  Контакт
• 

  БСП316ПЭ6327

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:6.4 nC @ 10 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  IPD04N03LA Г

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 80μA

  Контакт
• 

  ИПД13Н03ЛА Г

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

  Контакт
• 

  БСС223ПВ Л6327

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:00,62 nC @ 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт