Китай Дискретный полупроводник

• 

  2Н7002Т-7

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Статус продукта:Выпущен в Digi-Key

  Контакт
• 

  БСС123W-7

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Статус продукта:Выпущен в Digi-Key

  Контакт
• 

  IRLR7833TR

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:50 nC @ 4,5 v

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  ZXM41N10FTA

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  IRLR8113TR

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:32 nC @ 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  IRFR3707Z

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:14 нКл при 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  СПИ100Н03С2Л-03

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 250μA

  Контакт
• 

  ИПИ04Н03ЛА

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 60μA

  Контакт
• 

  IRLR8113

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:32 nC @ 4,5 В

  Статус продукта:Старый

  Контакт
• 

  SPI11N60C3XKSA1

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 500μA

  Контакт
• 

  FQD4P25TF

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µA

  Контакт
• 

  ИПУ06N03LAGXK

  Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET

  Особенность FET:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 40μA

  Контакт