Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:4В @ 44μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 60μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 110μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 135μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 250μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2В @ 55μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 80μA
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Поверхностный монтаж
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Подвеска на шасси
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Старый
Конфигурация:N-канал