Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Через дыру
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Напряжение - номинальное:48 В
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Конфигурация:-
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Через дыру
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Через дыру
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Конфигурация:N-канал
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Конфигурация:-
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Напряжение - номинальное:160 В
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Напряжение - номинальное:28 В
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Напряжение - номинальное:28 В
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Напряжение - номинальное:28 В
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:Активный
Тип установки:Через дыру